三星电子(Samsung Electronics)挽救下滑业绩，全力冲刺半导体，传将力拼固态硬盘(SSD)事业。该公司拟在SSD采用3-bit V-NAND flash存储器技术，提升储存效能，未来中国西安厂也会加入3-bit V-NAND flash芯片的量产行列。
BusinessKorea 10日引述业界人士报导，3-bit V-NAND flash储存效能更胜于平面(planar)NAND flash，用于SSD可提升表现、价格也更有竞争力。三星上月初已在首尔近郊的华城厂(Hwaseong)量产3-bit V-NAND flash，但是由于华城主要生产平面NAND flash， V-NAND芯片每月产量不到10万片。

为提高3-bit V-NAND flash供应量，据了解三星中国西安厂也着手准备量产，外界预期西安厂会在明年5、6月投产。西安厂每月生产30万-40万片V-NAND芯片，产能全开时，产量可增至70万片。

目前全球仅有三星有能力量产3D V-NAND flash，外界认为三星技术领先对手两年。该公司预定明年发表搭载3-bit V-NAND flash的SSD。

韩联社报导，三星电子(Samsung Electronics)10月9日宣布量产业界首见的3-bit 3D存储器V-NAND flash芯片，可用于SSD硬盘，提升储存效率。

新品每个记忆单元(cell)皆可储存3 bit数据，之前3-bit技术仅用于平面(planar)NAND flash，如今拓展用途，使用于3D V-NAND flash。新款3-bit 3D芯片采用第二代V-NAND技术，垂直堆栈32层，整合程度比24层芯片高出30%。